国产芯片领域中,存储芯片的表现和追赶速度是最快的领域。此前有消息称国产存储芯片大厂已经完成了192层的3D NAND闪存样品的自主研发,并在今年年底前会实现量产交付。
而目前有消息称,长江存储计划跳过192层,直接切入232层闪存生产。
这意味着,如果长江存储实现量产232层闪存芯片,我国在存储芯片领域的技术将达到国际先进水平。
而目前三星和SK海力士明年初会量产超200层闪存,长江存储越过192层,直接生产232层,将到达一线水平。
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