一说高速内存,大家首先想到的就是DDR5,双通道的带宽轻松超过50GB/s,高频版的逐渐逼近100GB/s,然而,其在三星HBM3内存上堪称是小巫见大巫,这款内存带宽轻松超过了1024GB/s。
JEDEC组织今年初发布了HBM3的标准,继续在存储密度、带宽、通道、可靠性、能效等各个层面进行扩充升级,其中传输数据率在HBM2基础上再次翻番,每个针脚(pin)的传输率为6.4Gbps,配合1024-bit位宽,单颗最高带宽可达819GB/s。
三星研发的新一代HBM3内存阵脚速率更高,达到了8Gbps/pin,堆栈4颗的情况下带宽轻松达到1024GB/s,是DDR5内存的十几倍。
另外,频率越高的话出错也更多,为此三星还有更强的内存纠错功能,每个HBM内存芯片都内置了1组ECC纠错电路,确保数据准确性
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